2N5584

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2N5584

POWER BJT

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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Bulk
ProductStatus Active
TransistorType NPN
Current-Collector(Ic)(Max) 30 A
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 180 V
VceSaturation(Max)@IbIc 1.5V @ 2mA, 10mA
Power-Max 175 W
OperatingTemperature -65°C ~ 200°C (TJ)
MountingType Stud Mount
Package/Case TO-211MB, TO-63-4, Stud

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