2N6182

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2N6182

POWER BJT

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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Bulk
ProductStatus Active
TransistorType PNP
Current-Collector(Ic)(Max) 10 A
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 80 V
VceSaturation(Max)@IbIc 700mV @ 200µA, 2mA
Power-Max 60 W
OperatingTemperature -65°C ~ 200°C (TJ)
MountingType Stud Mount
Package/Case TO-210AA, TO-59-4, Stud

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