2N6306T1

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2N6306T1

POWER BJT

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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Bulk
Series Military, MIL-PRF-19500/498
ProductStatus Active
TransistorType NPN
Current-Collector(Ic)(Max) 8 A
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 250 V
VceSaturation(Max)@IbIc 5V @ 2A, 8A
Current-CollectorCutoff(Max) 50µA
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 15 @ 3A, 5V
Power-Max 125 W
OperatingTemperature -65°C ~ 200°C
MountingType Through Hole
Package/Case TO-204AA, TO-3

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