2N6512

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2N6512

POWER BJT

100% Original und Neu

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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Bulk
ProductStatus Active
TransistorType NPN
Current-Collector(Ic)(Max) 7 A
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 300 V
VceSaturation(Max)@IbIc 1.5V @ 800mA, 4A
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 10 @ 4A, 3V
Power-Max 120 W
Frequency-Transition 3MHz
MountingType Through Hole
Package/Case TO-204AA, TO-3

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