2SK4150TZ-E

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2SK4150TZ-E

2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF

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  • Fr. Teil #2SK4150TZ-E
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 250 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 400mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.5V, 4V
RdsOn(Max)@IdVgs 5.7Ohm @ 200mA, 4V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 3.7 nC @ 4 V
Vgs(Max) ±10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 80 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 750mW (Ta)
OperatingTemperature 150°C
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-92

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