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APT80GA90S

IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tube
Series	POWER MOS 8®
ProductStatus	Active
IGBTType	PT
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)	900 V
Current-Collector(Ic)(Max)	145 A
Current-CollectorPulsed(Icm)	239 A
Vce(on)(Max)@VgeIc	3.1V @ 15V, 47A
Power-Max	625 W
SwitchingEnergy	1.625mJ (on), 1.389mJ (off)
InputType	Standard
GateCharge	200 nC
Td(on/off)@25°C	18ns/149ns
TestCondition	600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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