APT80GA90S

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APT80GA90S

IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A

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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Tube
Series POWER MOS 8®
ProductStatus Active
IGBTType PT
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 900 V
Current-Collector(Ic)(Max) 145 A
Current-CollectorPulsed(Icm) 239 A
Vce(on)(Max)@VgeIc 3.1V @ 15V, 47A
Power-Max 625 W
SwitchingEnergy 1.625mJ (on), 1.389mJ (off)
InputType Standard
GateCharge 200 nC
Td(on/off)@25°C 18ns/149ns
TestCondition 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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