APT80SM120J

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APT80SM120J

SICFET N-CH 1200V 51A SOT227

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  • Fr. Teil #APT80SM120J
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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 51A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 55mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 235 nC @ 20 V
Vgs(Max) +25V, -10V
PowerDissipation(Max) 273W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage SOT-227

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