APTM100DA18T1G

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APTM100DA18T1G

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

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  • Fr. Teil #APTM100DA18T1G
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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 40A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 216mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 2.5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 570 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 14800 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 657W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage SP1

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