APTM10UM01FAG

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APTM10UM01FAG

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

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  • Fr. Teil #APTM10UM01FAG
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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Bulk
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 860A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.6mOhm @ 275A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 12mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2100 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 60000 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 2500W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage SP6

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