APTM120DA30CT1G

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APTM120DA30CT1G

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

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  • Fr. Teil #APTM120DA30CT1G
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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Bulk
Series POWER MOS 8™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 31A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 360mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 2.5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 560 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 14560 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 657W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage SP1

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