AUIRF6218S-IR

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AUIRF6218S-IR

PFET, 27A I(D), 150V, 0.15OHM, 1

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  • Fr. Teil #AUIRF6218S-IR
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 27A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 150mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 110 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2210 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 250W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TO263-3

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