AUIRF7737L2TR

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AUIRF7737L2TR

MOSFET N-CH 40V 31A/156A DIRECT

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  • Fr. Teil #AUIRF7737L2TR
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 31A (Ta), 156A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.9mOhm @ 94A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 134 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5469 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3.3W (Ta), 83W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DIRECTFET L6

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