AUIRFR1018E-IR

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AUIRFR1018E-IR

PFET, 56A I(D), 60V, 0.0084OHM

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package 1
Series Bulk
ProductStatus HEXFET®
FETType Active
Technology N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss) MOSFET (Metal Oxide)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 60 V
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 56A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 10V
Vgs(th)(Max)@Id 8.4mOhm @ 47A, 10V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 4V @ 100µA
Vgs(Max) 69 nC @ 10 V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds ±20V
FETFeature 2290 pF @ 50 V
OperatingTemperature 110W (Tc)
MountingType -55°C ~ 175°C (TJ)
SupplierDevicePackage Surface Mount

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