AUIRFS8408-7P

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AUIRFS8408-7P

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 195A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.9V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 324 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 10820 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 294W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage D2PAK

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