AUIRLR3636TRL

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AUIRLR3636TRL

AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL

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  • Fr. Teil #AUIRLR3636TRL
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 50A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 49 nC @ 4.5 V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3779 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 143W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage D-Pak

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