BFP182WE6327

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BFP182WE6327

RF TRANSISTOR, L BAND, NPN

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
ProductStatus Active
TransistorType NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 12V
Frequency-Transition 8GHz
NoiseFigure(dBTyp@f) 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain 22dB
Power-Max 250mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 70 @ 10mA, 8V
Current-Collector(Ic)(Max) 35mA
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case SC-82A, SOT-343

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