BFR181E6327

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BFR181E6327

LOW-NOISE TRANSISTOR

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
ProductStatus Active
TransistorType NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 12V
Frequency-Transition 8GHz
NoiseFigure(dBTyp@f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain 18.5dB
Power-Max 175mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 70 @ 5mA, 8V
Current-Collector(Ic)(Max) 20mA
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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