BFR750L3RHE6327

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BFR750L3RHE6327

RF BIPOLAR TRANSISTOR

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Spezifikationen

Package Bulk
ProductStatus Active
TransistorType NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 4.7V
Frequency-Transition 37GHz
NoiseFigure(dBTyp@f) 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gain 21dB
Power-Max 360mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 160 @ 60mA, 3V
Current-Collector(Ic)(Max) 90mA
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case SC-101, SOT-883

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