BFR949L3E6327

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BFR949L3E6327

RF BIPOLAR TRANSISTOR

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
ProductStatus Active
TransistorType NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 10V
Frequency-Transition 9GHz
NoiseFigure(dBTyp@f) 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
Gain 21.5dB
Power-Max 250mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 100 @ 5mA, 6V
Current-Collector(Ic)(Max) 50mA
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case SC-101, SOT-883

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