BSC016N03LSGATMA1

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BSC016N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON

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  • Fr. Teil #BSC016N03LSGATMA1
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series OptiMOS™
ProductStatus Not For New Designs
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 32A (Ta), 100A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 131 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 10000 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TDSON-8-1

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