BSM180C12P2E202

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BSM180C12P2E202

SICFET N-CH 1200V 204A MODULE

  • Hersteller
  • Fr. Teil #BSM180C12P2E202
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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tray
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 204A (Tc)
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 35.2mA
Vgs(Max) +22V, -6V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 20000 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 1360W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage Module

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