BSM180D12P2E002

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BSM180D12P2E002

1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Bulk
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 204A (Tc)
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 35.2mA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 18000pF @ 10V
Power-Max 1360W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
Package/Case Module

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