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BSM180D12P2E002

1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Bulk
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature	Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	204A (Tc)
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 35.2mA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	18000pF @ 10V
Power-Max	1360W (Tc)
OperatingTemperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount
Package/Case	Module

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