BSM300D12P2E001

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BSM300D12P2E001

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tray
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 300A (Tc)
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 68mA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 35000pF @ 10V
Power-Max 1875W
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
Package/Case Module

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