BSM400C12P3G202

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BSM400C12P3G202

SICFET N-CH 1200V 400A MODULE

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  • Fr. Teil #BSM400C12P3G202
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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tray
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 400A (Tc)
Vgs(th)(Max)@Id 5.6V @ 106.8mA
Vgs(Max) +22V, -4V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 17000 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 1570W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage Module

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