BSM400D12P2G003

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BSM400D12P2G003

SILICON CARBIDE POWER MODULE. B

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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Bulk
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 400A (Tc)
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 85mA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 38000pF @ 10V
Power-Max 2450W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package/Case Module

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