BSP179H6327XTSA1

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BSP179H6327XTSA1

MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4

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  • Fr. Teil #BSP179H6327XTSA1
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Bulk
Series SIPMOS®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 400 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 210mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 0V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 18Ohm @ 210mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 94µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6.8 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 135 pF @ 25 V
FETFeature Depletion Mode
PowerDissipation(Max) 1.8W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-SOT223-4

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