BSP296 E6433

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BSP296 E6433

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4

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  • Fr. Teil #BSP296 E6433
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies
Package Tape & Reel (TR)
Series SIPMOS®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.1A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 700mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1.8V @ 400µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 17.2 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 364 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 1.79W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-SOT223-4

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