BSP613P

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BSP613P

MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4

  • HerstellerInfineon Technologies
  • Fr. Teil #BSP613P
  • Paket
  • Datenblatt BSP613P DataSheet
  • Auf Lager21688

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Spezifikationen

Series SIPMOS®
Part Status Obsolete
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade Automotive
Qualification AEC-Q101
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-SOT223-4-21
Package / Case TO-261-4, TO-261AA

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