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BSP613P
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
- HerstellerInfineon Technologies
- Fr. Teil #BSP613P
- Paket
- Datenblatt BSP613P DataSheet
- Auf Lager21688
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Spezifikationen
Series | SIPMOS® |
Part Status | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 875 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Grade | Automotive |
Qualification | AEC-Q101 |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
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