BSS192PH6327XTSA1

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BSS192PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89

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  • Fr. Teil #BSS192PH6327XTSA1
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies
Package Tape & Reel (TR)
Series SIPMOS™
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 250 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 190mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.8V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 130µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6.1 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 104 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 1W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-SOT89

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