C2M0040120D

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C2M0040120D

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

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Spezifikationen

Series Z-FET™
Part Status Obsolete
Base Product Number C2M0040120
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 20 V
Vgs (Max) +25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1893 pF @ 1000 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-3
Package TO-247-3
Packaging Tube

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