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C3M0065090D

SICFET N-CH 900V 36A TO247-3

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Series	C3M™
Part Status	Not For New Designs
FET Type	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30.4 nC @ 15 V
Vgs (Max)	+18V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247-3
Package / Case	TO-247-3
Base Product Number	C3M0065090

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