C3M0120065K

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C3M0120065K

650V 120M SIC MOSFET

100% Original und Neu

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Spezifikationen

Supplier Wolfspeed, Inc.
Package Tube
Series C3M™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 22A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 157mOhm @ 6.76A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 3.6V @ 1.86mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 28 nC @ 15 V
Vgs(Max) +19V, -8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 640 pF @ 400 V
PowerDissipation(Max) 98W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4L

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