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CAB400M12XM3

MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Box
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Dual)
FETFeature	Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	395A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	5.3mOhm @ 400A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id	3.6V @ 92mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	908nC @ 15V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	2450pF @ 800V
OperatingTemperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount
Package/Case	Module

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