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CAB760M12HM3

MOSFET 2N-CH 1200V 1015A MODULE

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Part Status	Active
Technology	Silicon Carbide (SiC)
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1015A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.6V @ 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	79400pF @ 800V
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Chassis Mount
Package / Case	Module
Supplier Device Package	Module
Base Product Number	CAB760
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.73mOhm @ 760A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2724nC @ 15V

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