CSD85312Q3E

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CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

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Spezifikationen

Supplier Texas Instruments,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series NexFET™
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual) Common Source
FETFeature Logic Level Gate, 5V Drive
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 39A
RdsOn(Max)@IdVgs 12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id 1.4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 15.2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2390pF @ 10V
Power-Max 2.5W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-PowerVDFN

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