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CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series	NexFET™
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Dual) Common Source
FETFeature	Logic Level Gate, 5V Drive
DraintoSourceVoltage(Vdss)	20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	39A
RdsOn(Max)@IdVgs	12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id	1.4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	15.2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	2390pF @ 10V
Power-Max	2.5W
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	8-PowerVDFN

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