DMG6601LVT-7

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DMG6601LVT-7

MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26

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Spezifikationen

Part Status Active
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A, 2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 15V
Power - Max 850mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package TSOT-26
Base Product Number DMG6601
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 10V

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