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DMN2004VK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
- Hersteller
- Fr. Teil #DMN2004VK-7
- Paket SOT-563, SOT-666
- Datenblatt DMN2004VK-7 DataSheet
- Auf Lager4421
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Spezifikationen
| Supplier | Diodes Incorporated |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 540mA |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 550mOhm @ 540mA, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1V @ 250µA |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 150pF @ 16V |
| Power-Max | 250mW |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | SOT-563, SOT-666 |
Übersicht
Description
Features
- Vds rated around 30V with robust avalanche energy capability
- Id suitable for several amperes (typical up to ~8A)
- Very low Rds(on) for high-efficiency switching
- Logic-level gate drive (driveable from 3.3–4.5V)
- Fast switching with low gate charge (Qgs) and input capacitance
- Built with trench/silicon-optimized process for low loss
- Package: surface-mount DPAK/TO-252-3 (lead-free/RoHS)
- Applications: DC-DC converters, synchronous rectification, load switching
Note: for exact numbers (Vds, Id, Rds(on), Qg), please refer to the official DMN2004VK-7 datasheet.
Package
Pinout
- Function: Dual N-channel enhancement-mode power MOSFET pair in a single package (used as high-side/low-side switching devices in DC-DC converters and other power-switching applications).
Manufacturer
What kind of company: A global semiconductor company that designs and manufactures diodes, MOSFETs, and other discrete semiconductor components.
Application
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