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DTC114ECAT116
TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
- HerstellerRohm Semiconductor
- Fr. Teil #DTC114ECAT116
- Paket SOT23-3
- Datenblatt DTC114ECAT116 DataSheet
- Auf Lager4
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Spezifikationen
Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
ProductStatus | Active |
TransistorType | NPN - Pre-Biased |
Current-Collector(Ic)(Max) | 50 mA |
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50 V |
Resistor-Base(R1) | 10 kOhms |
Resistor-EmitterBase(R2) | 10 kOhms |
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 30 @ 5mA, 5V |
VceSaturation(Max)@IbIc | 300mV @ 500µA, 10mA |
Current-CollectorCutoff(Max) | 500nA |
Frequency-Transition | 250 MHz |
Power-Max | 200 mW |
MountingType | Surface Mount |
Package/Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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