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EM6K6T2R

MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Part Status	Active
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	300mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 10V
Power - Max	150mW
Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package	EMT6
Base Product Number	EM6K6
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 300mA, 4V

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