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EMD9T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- HerstellerRohm Semiconductor
- Fr. Teil #EMD9T2R
- Paket SOT-563
- Datenblatt EMD9T2R DataSheet
- Auf Lager5638
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Spezifikationen
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Active |
| TransistorType | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 100mA |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50V |
| Resistor-Base(R1) | 10kOhms |
| Resistor-EmitterBase(R2) | 47kOhms |
| DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 68 @ 5mA, 5V |
| VceSaturation(Max)@IbIc | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Current-CollectorCutoff(Max) | 500nA |
| Frequency-Transition | 250MHz |
| Power-Max | 150mW |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | SOT-563, SOT-666 |
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