EPC2015C

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EPC2015C

GANFET N-CH 40V 53A DIE

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  • Fr. Teil #EPC2015C
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Spezifikationen

Supplier EPC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series eGaN®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 53A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V
RdsOn(Max)@IdVgs 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 9mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8.7 nC @ 5 V
Vgs(Max) +6V, -4V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1180 pF @ 20 V
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage Die

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