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EPC2100ENGRT
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
- HerstellerEPC
- Fr. Teil #EPC2100ENGRT
- Paket Die
- Datenblatt EPC2100ENGRT DataSheet
- Auf Lager9388
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Spezifikationen
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | eGaN® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FETFeature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | Die |
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