EPC2101

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EPC2101

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

100% Original und Neu

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365 Tage Garantie

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Spezifikationen

Supplier EPC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series eGaN®
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 9.5A, 38A
RdsOn(Max)@IdVgs 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case Die

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