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EPC2102
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
- HerstellerEPC
- Fr. Teil #EPC2102
- Paket BGA
- Datenblatt EPC2102 DataSheet
- Auf Lager4869
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Spezifikationen
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | eGaN® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FETFeature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 23A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 7mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 6.8nC @ 5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 830pF @ 30V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | Die |
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