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EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
- HerstellerEPC
- Fr. Teil #EPC2104
- Paket Die
- Datenblatt EPC2104 DataSheet
- Auf Lager4526
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Spezifikationen
Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
Series | eGaN® |
ProductStatus | Active |
FETType | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FETFeature | GaNFET (Gallium Nitride) |
DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100V |
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 23A |
RdsOn(Max)@IdVgs | 6.3mOhm @ 20A, 5V |
Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 5.5mA |
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 7nC @ 5V |
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 800pF @ 50V |
OperatingTemperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
MountingType | Surface Mount |
Package/Case | Die |
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