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EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
- HerstellerEPC
- Fr. Teil #EPC2108
- Paket 9-VFBGA
- Datenblatt EPC2108 DataSheet
- Auf Lager3274
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Spezifikationen
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | eGaN® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FETFeature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60V, 100V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 1.7A, 500mA |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 9-VFBGA |
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