EPC2108

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EPC2108

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

100% Original und Neu

24 Stunden bereit zum Versand

365 Tage Garantie

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Spezifikationen

Supplier EPC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series eGaN®
ProductStatus Active
FETType 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FETFeature GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60V, 100V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.7A, 500mA
RdsOn(Max)@IdVgs 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 9-VFBGA

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