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EPC2110ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
- HerstellerEPC
- Fr. Teil #EPC2110ENGRT
- Paket Die
- Datenblatt EPC2110ENGRT DataSheet
- Auf Lager5791
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Spezifikationen
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | eGaN® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FETFeature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 120V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3.4A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 700µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 0.8nC @ 5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 80pF @ 60V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | Die |
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