EPC7014UBC

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EPC7014UBC

GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB

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  • Fr. Teil #EPC7014UBC
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Spezifikationen

Supplier EPC Space
Package Tray
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V
RdsOn(Max)@IdVgs 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 140µA
Vgs(Max) +7V, -4V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 22 pF @ 30 V
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 4-SMD

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