ES6U1T2R

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ES6U1T2R

MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT

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  • Fr. Teil #ES6U1T2R
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Spezifikationen

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Obsolete
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 12 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.3A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.4 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 290 pF @ 6 V
FETFeature Schottky Diode (Isolated)
PowerDissipation(Max) 700mW (Ta)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 6-WEMT

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