FBG04N08AC

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FBG04N08AC

GAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A

  • Hersteller
  • Fr. Teil #FBG04N08AC
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Spezifikationen

Supplier EPC Space
Package Tray
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 8A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V
RdsOn(Max)@IdVgs 24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 2mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.8 nC @ 5 V
Vgs(Max) +6V, -4V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 312 pF @ 20 V
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 4-SMD

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